钙通道存在着两种失活机制:电压依赖性失活和胞内钙离子浓度依赖性失活。改变四个结构域的S6,均能对钙通道的失活过程产生影响。前面已经提到了细胞内钙离子浓度的增高,能使该通道失活。但Findlay [ 10 ] 2003年的研究表明,在高电压时,以电压依赖性失活为主,而在较低电压时,以胞内钙离子浓度依赖性失活为主(图4‐。在钙通道的C端存在着两个重要基序:EF‐hand和I Q。Ca M的N‐lobe与I Q基序的结合最强,因此Ca M的第1和第2个EF‐hand与C端结合,实现其抑制效应(参看图3‐. ......